フラウンホーファーFEPは20年以上にもわたって高速反応性パルスマグネトロンスパッタリングによる酸化膜や窒化膜の作成技術開発において世界をリードしてきた。そして、最近の光学およびオプトエレクトロニクス用高品質膜の需要増に合せ、高度C軸配向AlN膜やAlScN膜、近赤外および赤外域の光学フィルター向けの高屈折率膜（a-Si:H他）などの作成技術の開発を進めてきた1）。そこから次の技術進化としてスパッタエピタキシー技術の検討を開始した。GaNに代表されるⅢ族窒化物パワーエレクロニクスが、大量消費市場へ移行しつつある中、製造メーカーはエピタキシー成膜のコスト低減と生産性向上を望んでいるが、現行のOMVPE（有機金属気相エピタキシー）では、対応が難しくなりつつある。そのような状況下、FEPはスパッタエピタキシーによるⅢ族窒化膜の大面積・低コスト・量産技術の実現を目指している。ここでは、それらの最新開発状況を紹介する。
