【掲載：20年8月15日】高速HC-プラズマCVD技術

AGC-PTSの高速大面積用ホローカソードPECVD技術をご紹介いたします。その特徴は、HMDSOやTMDSOを出発原料として低屈折率SiOx膜を形成した場合、

＊高速：動的成膜速度＞200nm.m/min

＊極低C濃度：＜２％

＊膜がち密

＊精密制御不要なので取り扱いが容易

＊大面積化が容易（スパッタカソード置き換え用

　　最大3.4m幅までのカソード提供可能）

＊スパッタと同じ動作圧力可能、

などです。出発原料を変えることで、他の酸化膜、窒化膜も形成可能です。弊社パートナー一般社団法人光融合技術協会管理の小型実験機でサンプル試作可能です。